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FF400R33KF2C数据表
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 3300 V
集电极—射极饱和电压: 3.4 V
在25 C的连续集电极电流: 660 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4.8 kW
封装 / 箱体: IHM
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 140 mm
宽度: 130 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614
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