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FF600R12ME4数据表

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.1 V

在25 C的连续集电极电流: 995 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 4050 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

封装: Tray

技术: Si  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 10  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FF600R12ME4BOSA1 SP000635448  

单位重量: 345 g