瀚佳科技（深圳）有限公司

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BF1205数据表

RoHS:  详细信息  

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 30 mA

Vds-漏源极击穿电压: 6 V, 6 V

Rds On-漏源导通电阻: -

工作温度: - 65 C

工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual  

高度: 1 mm  

长度: 2.2 mm  

类型: RF Small Signal MOSFET  

宽度: 1.35 mm  

商标: NXP Semiconductors  

通道模式: Enhancement  

CNHTS: 8541210000  

HTS代码: 8541210075  

MXHTS: 85412101  

Pd-功率耗散: 180 mW  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V, 10 V  

零件号别名: BF1205C T/R  

单位重量: 6 mg