瀚佳科技（深圳）有限公司

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BF1108R数据表

制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 10 mA

Vds-漏源极击穿电压: 3 V

Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-143R

配置: Single  

高度: 1.1 mm  

长度: 3 mm  

类型: RF Small Signal MOSFET  

宽度: 1.4 mm  

商标: NXP Semiconductors  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: 7 V