瀚佳科技（深圳）有限公司

SI2308DS-T1-E3资料

制造商 Vishay
标准包装   3,000
包装   标准卷带  
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V
Vgs（值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 160 毫欧 @ 2A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3