瀚佳科技（深圳）有限公司

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DMN63D8LV-7数据表

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-563-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 260 mA

Rds On-漏源导通电阻: 2.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 0.87 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 450 mW

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: DMN63  

晶体管类型: 2 N-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 值: 80 mS  

下降时间: 6.3 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 3.2 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 12 ns  

典型接通延迟时间: 3.3 ns  

单位重量: 3 mg