瀚佳科技（深圳）有限公司

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IRFB4215PBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 115 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 113.3 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 270 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: HEXFET Power MOSFET  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 110 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 160 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 77 ns  

典型接通延迟时间: 22 ns  

单位重量: 6 g