瀚佳科技（深圳）有限公司

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IRF1018ESLPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-262-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 79 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 46 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 110 W

配置: Single

封装: Tube

高度: 9.45 mm  

长度: 10.2 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Infineon / IR  

正向跨导 - 值: 110 S  

下降时间: 46 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 35 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 55 ns  

典型接通延迟时间: 13 ns  

零件号别名: SP001550908  

单位重量: 2.084 g