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发布时间: 2019/4/19 23:41:12 | 162 次阅读
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HN1B01FDW1T1G数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-74-6
晶体管极性: NPN, PNP
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 50 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: - 0.15 V
直流电集电极电流: 0.2 A
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: HN1B01FDW1
高度: 0.94 mm
长度: 3 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 1.5 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 380 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 13.430 mg