瀚佳科技（深圳）有限公司

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HGTG5N120BND数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息  

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.45 V

栅极/发射极电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 21 A

Pd-功率耗散: 167 W

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

系列: HGTG5N120BND

封装: Tube

集电极连续电流 Ic: 21 A  

高度: 20.82 mm  

长度: 15.87 mm  

宽度: 4.82 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

集电极连续电流: 21 A  

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 450  

子类别: IGBTs  

零件号别名: HGTG5N120BND_NL  

单位重量: 6.390 g