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发布时间: 2019/4/15 19:31:49 | 169 次阅读
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FDW2520C数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A, 4.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms, 35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 4.4 mm
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 值: 30 S, 17 S
下降时间: 19 ns, 37 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns, 19 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns, 60 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 12 ns
单位重量: 20 mg