瀚佳科技（深圳）有限公司

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FQI8N60C数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-262-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 7.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.13 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 7.88 mm  

长度: 10.29 mm  

系列: QFET  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.83 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 64.5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 60.5 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 81 ns  

典型接通延迟时间: 16.5 ns  

单位重量: 2.387 g