瀚佳科技（深圳）有限公司

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FDP047AN08A0数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 310 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 16.3 mm  

长度: 10.67 mm  

系列: FDP047AN08A0  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 4.7 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 45 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 88 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 40 ns  

典型接通延迟时间: 18 ns  

零件号别名: FDP047AN08A0_NL  

单位重量: 1.800 g