瀚佳科技（深圳）有限公司

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FDP12N50NZ数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 11.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 460 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

Qg-栅极电荷: 23 nC

Pd-功率耗散: 170 W

配置: Single

商标名: UniFET

封装: Tube

高度: 16.3 mm  

长度: 10.67 mm  

系列: FDP12N50NZ  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.7 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 值: 12 S  

下降时间: 45 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 50 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 1.800 g