瀚佳科技（深圳）有限公司

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FSEZ1216NY数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: DIP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 1 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.3 Ohms

工作温度: - 40 C

工作温度: + 105 C

Pd-功率耗散: 800 mW

配置: Single

封装: Tube

产品: MOSFET Small Signal  

系列: FSEZ1216  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Primary Side Regulation PWM Integrated Power MOSFET  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 1  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 13 ns  

典型接通延迟时间: 7 ns  

单位重量: 1 g