瀚佳科技（深圳）有限公司

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ATF-54143-TR1G数据表

制造商: Broadcom Limited

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: EpHEMT

技术: GaAs

增益: 16.6 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 5 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V to 1 V

Id-连续漏极电流: 120 mA

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 725 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-343

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single Dual Source  

工作频率: 2 GHz  

产品: RF JFET  

类型: GaAs EpHEMT  

商标: Broadcom / Avago  

正向跨导 - 值: 410 mmho  

CNHTS: 8541210000  

HTS代码: 8541290075  

MXHTS: 85412999  

NF—噪声系数: 0.5 dB  

P1dB - 压缩点: 20.4 dBm  

产品类型: RF JFET Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541290000