瀚佳科技（深圳）有限公司

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CSD16321Q5数据表

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-CLIP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 5 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 113 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD16321Q5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 值: 150 S  

开发套件: TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353  

下降时间: 17 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 15 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 9 ns  

单位重量: 117.400 mg