瀚佳科技（深圳）有限公司

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BFP196W数据表

制造商: Infineon

产品种类: 射频(RF)双极晶体管

技术: Si

晶体管极性: NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min: 70

集电极—发射极电压 VCEO: 12 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V

集电极连续电流: 100 mA

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-343-4

集电极—基极电压 VCBO: 20 V  

高度: 0.9 mm  

长度: 2 mm  

宽度: 1.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

增益带宽产品fT: 7.5 GHz  

直流电集电极电流: 0.15 A  

产品类型: RF Bipolar Transistors  

子类别: Transistors  

单位重量: 6.400 mg