瀚佳科技（深圳）有限公司

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BSH105数据表

制造商: Nexperia

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 1.05 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 3.9 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 417 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 3 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

晶体管类型: 1 N-Channel MOS Transistor  

宽度: 1.4 mm  

商标: Nexperia  

下降时间: 20 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.5 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 45 ns  

典型接通延迟时间: 2 ns  

零件号别名: BSH105 T/R  

单位重量: 8 mg