瀚佳科技（深圳）有限公司

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NTZD3154NT1G数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-563-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 570 mA

Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms, 550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 1.5 nC, 1.5 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Dual

Pd-功率耗散: 280 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.55 mm  

长度: 1.6 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: NTZD3154N  

晶体管类型: 2 N-Channel  

宽度: 1.2 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 值: 1 S, 1 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 8 ns, 8 ns  

HTS Code: 8541210095  

MXHTS: 85412101  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns, 4 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

典型关闭延迟时间: 16 ns, 16 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns, 6 ns  

单位重量: 3 mg