瀚佳科技（深圳）有限公司

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CSD87350Q5D数据表

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LSON-CLIP-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Vgs - 栅极-源极电压: 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 750 mV

Qg-栅极电荷: 8.4 nC, 20 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 12 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.5 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD87350Q5D  

晶体管类型: 2 N-Channel  

类型: Synchronous Buck MOSFET Driver  

宽度: 5 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 值: 97 S, 157 S  

开发套件: TPS53819AEVM-123  

下降时间: 2.3 ns, 4.7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 17 ns, 10 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 13 ns, 33 ns  

典型接通延迟时间: 7 ns, 8 ns  

单位重量: 162 mg