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FDMS86200数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DualCool-56-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 52 A

Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 33 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 104 W

配置: Single

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.1 mm  

长度: 6 mm  

系列: FDMS86200  

晶体管类型: N-Channel  

类型: N-Channel Power Trench MOSFET  

宽度: 5 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 值: 33 S  

下降时间: 5.8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7.9 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 13 ns  

单位重量: 68.100 mg  

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