瀚佳科技（深圳）有限公司

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FS800R07A2E3数据表

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS:  详细信息  

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.4 V

在25 C的连续集电极电流: 800 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 1.5 kW

封装 / 箱体: HybirdPack2

工作温度: - 40 C

工作温度: + 150 C

系列: FS800R07A2  

技术: Si  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Through Hole  

栅极/发射极电压: 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 3  

子类别: IGBTs  

零件号别名: FS800R07A2E3BOSA1 SP000639394