瀚佳科技（深圳）有限公司

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FDN360P数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 2 A

Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.12 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: FDN360P  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.4 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 值: 5 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 13 ns  

HTS Code: 8541210095  

MXHTS: 85412101  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 13 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

典型关闭延迟时间: 11 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns  

零件号别名: FDN360P_NL  

单位重量: 30 mg