瀚佳科技（深圳）有限公司

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BFR740L3RHE6327数据表

制造商: Infineon

产品种类: 射频(RF)双极晶体管

系列: BFR740L3

晶体管类型: Bipolar

技术: SiGe

晶体管极性: NPN

工作温度: - 65 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

封装 / 箱体: TSLP

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.45(Max) mm  

长度: 1 mm  

类型: RF Silicon Germanium  

宽度: 0.6 mm  

商标: Infineon Technologies  

CNHTS: 8541210000  

HTS Code: 8541210075  

MXHTS: 85412101  

Pd-功率耗散: 160 mW  

产品类型: RF Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 15000  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541210000  

零件号别名: BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR74L3RHE6327XT SP000252393  

单位重量: 0.500 mg