瀚佳科技（深圳）有限公司

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MJD122T4G数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 达林顿晶体管

配置: Single

晶体管极性: NPN

集电极—发射极电压 VCEO: 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—基极电压 VCBO: 100 V

直流电集电极电流: 8 A

集电极截止电流: 10 uA

Pd-功率耗散: 20 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)

工作温度: - 65 C

工作温度: + 150 C

系列: MJD122

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.38 mm  

长度: 6.73 mm  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 8 A  

CNHTS: 8541210000  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 100, 1000  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: Darlington Transistors  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541290000  

单位重量: 500 mg