瀚佳科技（深圳）有限公司

IRFH7914TRPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 35 A

Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.35 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 8.3 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single Quad Drain Triple Source

Pd-功率耗散: 3.1 W

通道模式: Enhancement

商标名: StrongIRFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.83 mm  

长度: 6 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: HEXFET Power MOSFET  

宽度: 5 mm  

商标: Infineon / IR  

正向跨导 - 值: 77 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 4.6 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 11 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 12 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

零件号别名: SP001564146  

单位重量: 400 mg

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