瀚佳科技（深圳）有限公司

TPCA8030-H 数据表

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP-Advance-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 24 A

Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single Quad Drain Triple Source

Pd-功率耗散: 2.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

高度: 0.95 mm  

长度: 5 mm  

系列: TPCA8030-H  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Toshiba  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 3.4 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 2.8 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

单位重量: 851 mg

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